Японці винайшли принцип виготовлення транзисторів на алмазах
Дослідження опубліковане в журналі Applied Physics Letters, повідомляє портал chrdk.
"Транзистор на алмазі був би набагато більш стійким, тому розробка методу його створення є актуальною задачею в світі напівпровідникової електроніки. Японські фізики створили прототип транзистора типу метал-оксид-напівпровідник на штучно вирощеному алмазі (який виступав напівпровідником)", - зазначається в публікації.
В наш час більшість транзисторів засноване на кремнії — цей матеріал забезпечує оптимальне поєднання ефективності роботи і вартості приладу. Однак у деяких умовах використовувати кремнієві транзистори неможливо: пристрій швидко виходить з ладу. Це відбувається при впливі екстремально високих температур або рівнів випромінювання, наприклад, у космосі.
Для роботи затвора транзистора необхідна наявність ізолятора (тонкої плівки діелектрика) в суворо визначених місцях. Раніше основною проблемою було як раз точкове нанесення діелектрика на алмаз. Дослідники вирішили цю проблему, вирощуючи ізолюючу плівку з оксиду ітрію прямо на поверхні алмазу за допомогою електронно-променевого випарника.
Дослідження показали, що алмази в такому випадку можуть витримувати високу напругу і підвищені температури без зміни характеристик.
Кінцева мета команди — побудова повноцінних інтегральних схем з алмазами.
Фото: Bjoern Wylezich/Фотодом/Shutterstock